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特徴

  • NチャンネルパワーMOSFET 100 V、Infineon
  • InfineonのディスクリートHEXFETRパワーMOSFET製品には、リード付き表面実装パッケージに収容されたNチャンネルデバイスが含まれています。 さらに、ほぼすべてのボードレイアウトや熱設計の課題に対応できるフォームファクタが含まれています。 レンジ全体にわたる抵抗のベンチマークにより、導電損失が低下するので、最適なシステム効率を発揮できます。

仕様

  • 入数:1チューブ(75個入)
  • チャンネルタイプ:N
  • 最大連続ドレイン電流:63 A
  • 最大ドレイン-ソース間電圧:100 V
  • 最大ドレイン-ソース間抵抗:14 mΩ
  • 最大ゲートしきい値電圧:2.5V
  • 最低ゲートしきい値電圧:1V
  • 最大ゲート-ソース間電圧:-16 V, +16 V
  • パッケージタイプ:IPAK (TO-251)
  • 実装タイプ:スルーホール
  • ピン数:3
  • チャンネルモード:エンハンスメント型
  • カテゴリー:パワーMOSFET
  • 最大パワー消費:140 W
  • 幅:2.3mm
  • RoHS適合状況:適合
  • コード番号:913-3976

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