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特徴

  • NチャンネルMOSFET、100 → 150 V、Vishay Semiconductor

仕様

  • 入数:1リール(2500個入)
  • チャンネルタイプ:N
  • 最大連続ドレイン電流:2.7 A
  • 最大ドレイン-ソース間電圧:100 V
  • 最大ドレイン-ソース間抵抗:158 mΩ
  • 最低ゲートしきい値電圧:2V
  • 最大ゲート-ソース間電圧:-20 V, +20 V
  • パッケージタイプ:SOIC
  • 実装タイプ:表面実装
  • ピン数:8
  • チャンネルモード:エンハンスメント型
  • カテゴリー:パワーMOSFET
  • 最大パワー消費:2.4 W
  • 動作温度 Min:-55 °C
  • RoHS適合状況:適合
  • コード番号:165-2748

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