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特徴

  • PチャンネルSTripFETパワーMOSFET、STMicroelectronics
  • 広い絶縁破壊電圧範囲のSTripFET MOSFETは、超低ゲート電荷量及び低オン抵抗を提供します。

仕様

  • 入数:1リール(2500個入)
  • チャンネルタイプ:P
  • 最大連続ドレイン電流:10 A
  • 最大ドレイン-ソース間電圧:40 V
  • 最大ドレイン-ソース間抵抗:20 mΩ
  • 最低ゲートしきい値電圧:1V
  • 最大ゲート-ソース間電圧:-20 V, +20 V
  • パッケージタイプ:SOIC
  • 実装タイプ:表面実装
  • ピン数:8
  • チャンネルモード:エンハンスメント型
  • カテゴリー:パワーMOSFET
  • 最大パワー消費:2.7 W
  • 標準ゲートチャージ @ Vgs:34 nC V @ 4.5
  • RoHS適合状況:適合
  • コード番号:165-5564

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