64-0188-31 Nチャンネル パワーMOSFET 55 A 表面実装 【SEAL限定商品】 FQB55N10TM パッケージD2PAK 3 TO-263 ピン 37800円,研究用総合機器 , 電子 電気部品・制御機器 , 電子部品・電源・コネクタ , 半導体 , ディスクリート , カテゴリ一覧 , 研究用総合機器 , 電子 電気部品・制御機器 , アールエスコンポーネンツ,/discernibly1876470.html,64-0188-31 Nチャンネル パワーMOSFET 55 A 表面実装 パッケージD2PAK （TO-263） 3 ピン FQB55N10TM,kinnon.tv 37800円,研究用総合機器 , 電子 電気部品・制御機器 , 電子部品・電源・コネクタ , 半導体 , ディスクリート , カテゴリ一覧 , 研究用総合機器 , 電子 電気部品・制御機器 , アールエスコンポーネンツ,/discernibly1876470.html,64-0188-31 Nチャンネル パワーMOSFET 55 A 表面実装 パッケージD2PAK （TO-263） 3 ピン FQB55N10TM,kinnon.tv 37800円 64-0188-31 Nチャンネル パワーMOSFET 55 A 表面実装 パッケージD2PAK （TO-263） 3 ピン FQB55N10TM 研究用総合機器 電子 電気部品・制御機器 電子部品・電源・コネクタ 半導体 ディスクリート カテゴリ一覧 研究用総合機器 電子 電気部品・制御機器 アールエスコンポーネンツ 37800円 64-0188-31 Nチャンネル パワーMOSFET 55 A 表面実装 パッケージD2PAK （TO-263） 3 ピン FQB55N10TM 研究用総合機器 電子 電気部品・制御機器 電子部品・電源・コネクタ 半導体 ディスクリート カテゴリ一覧 研究用総合機器 電子 電気部品・制御機器 アールエスコンポーネンツ 64-0188-31 Nチャンネル パワーMOSFET 55 A 表面実装 【SEAL限定商品】 FQB55N10TM パッケージD2PAK 3 TO-263 ピン
64-0188-31 Nチャンネル パワーMOSFET 55 A 表面実装 パッケージD2PAK （TO-263） 3 ピン FQB55N10TM
37800円
64-0188-31 Nチャンネル パワーMOSFET 55 A 表面実装 パッケージD2PAK （TO-263） 3 ピン FQB55N10TM
特徴
- QFETR NチャンネルMOSFET、31 A超、Fairchild Semiconductor
- Fairchild Semiconductor製の新しいQFETR平面MOSFETは、高度な独自技術を使用しているので、電源、PFC (力率補正)、DC-DCコンバータ、プラズマディスプレイパネル(PDP)、点灯バラスト、モーションコントロールなどの幅広い用途に対してクラス最高の動作性能を発揮します。 これらの製品では、オン抵抗(RDS(on))を低くすることでオン状態の損失を低減し、ゲート電荷量(Qg)と出力静電容量(Coss)を低くすることでスイッチング損失を低減しています。 高度なQFETRプロセステクノロジーを使用することで、Fairchildは競合他社の平面MOSFETデバイスよりも優れた性能指数(FOM)を発揮できます。
仕様
- 入数：1リール（800個入）
- チャンネルタイプ：N
- 最大連続ドレイン電流：55 A
- 最大ドレイン-ソース間電圧：100 V
- 最大ドレイン-ソース間抵抗：26 mΩ
- 最低ゲートしきい値電圧：2V
- 最大ゲート-ソース間電圧：-25 V, +25 V
- パッケージタイプ：D2PAK （TO-263）
- 実装タイプ：表面実装
- トランジスタ構成：シングル
- チャンネルモード：エンハンスメント型
- カテゴリー：パワーMOSFET
- 最大パワー消費：3.75 W
- 動作温度 Min：-55 °C
- RoHS適合状況：適合
- コード番号：166-2534
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