64-0188-31 Nチャンネル パワーMOSFET 55 A 表面実装 【SEAL限定商品】 FQB55N10TM パッケージD2PAK 3 TO-263 ピン 37800円,研究用総合機器 , 電子 電気部品・制御機器 , 電子部品・電源・コネクタ , 半導体 , ディスクリート , カテゴリ一覧 , 研究用総合機器 , 電子 電気部品・制御機器 , アールエスコンポーネンツ,/discernibly1876470.html,64-0188-31 Nチャンネル パワーMOSFET 55 A 表面実装 パッケージD2PAK (TO-263) 3 ピン FQB55N10TM,kinnon.tv 37800円,研究用総合機器 , 電子 電気部品・制御機器 , 電子部品・電源・コネクタ , 半導体 , ディスクリート , カテゴリ一覧 , 研究用総合機器 , 電子 電気部品・制御機器 , アールエスコンポーネンツ,/discernibly1876470.html,64-0188-31 Nチャンネル パワーMOSFET 55 A 表面実装 パッケージD2PAK (TO-263) 3 ピン FQB55N10TM,kinnon.tv 37800円 64-0188-31 Nチャンネル パワーMOSFET 55 A 表面実装 パッケージD2PAK (TO-263) 3 ピン FQB55N10TM 研究用総合機器 電子 電気部品・制御機器 電子部品・電源・コネクタ 半導体 ディスクリート カテゴリ一覧 研究用総合機器 電子 電気部品・制御機器 アールエスコンポーネンツ 37800円 64-0188-31 Nチャンネル パワーMOSFET 55 A 表面実装 パッケージD2PAK (TO-263) 3 ピン FQB55N10TM 研究用総合機器 電子 電気部品・制御機器 電子部品・電源・コネクタ 半導体 ディスクリート カテゴリ一覧 研究用総合機器 電子 電気部品・制御機器 アールエスコンポーネンツ 64-0188-31 Nチャンネル パワーMOSFET 55 A 表面実装 【SEAL限定商品】 FQB55N10TM パッケージD2PAK 3 TO-263 ピン

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64-0188-31 Nチャンネル パワーMOSFET 55 A 表面実装 パッケージD2PAK (TO-263) 3 ピン FQB55N10TM

37800円

64-0188-31 Nチャンネル パワーMOSFET 55 A 表面実装 パッケージD2PAK (TO-263) 3 ピン FQB55N10TM

特徴

  • QFETR NチャンネルMOSFET、31 A超、Fairchild Semiconductor
  • Fairchild Semiconductor製の新しいQFETR平面MOSFETは、高度な独自技術を使用しているので、電源、PFC (力率補正)、DC-DCコンバータ、プラズマディスプレイパネル(PDP)、点灯バラスト、モーションコントロールなどの幅広い用途に対してクラス最高の動作性能を発揮します。 これらの製品では、オン抵抗(RDS(on))を低くすることでオン状態の損失を低減し、ゲート電荷量(Qg)と出力静電容量(Coss)を低くすることでスイッチング損失を低減しています。 高度なQFETRプロセステクノロジーを使用することで、Fairchildは競合他社の平面MOSFETデバイスよりも優れた性能指数(FOM)を発揮できます。

仕様

  • 入数:1リール(800個入)
  • チャンネルタイプ:N
  • 最大連続ドレイン電流:55 A
  • 最大ドレイン-ソース間電圧:100 V
  • 最大ドレイン-ソース間抵抗:26 mΩ
  • 最低ゲートしきい値電圧:2V
  • 最大ゲート-ソース間電圧:-25 V, +25 V
  • パッケージタイプ:D2PAK (TO-263)
  • 実装タイプ:表面実装
  • トランジスタ構成:シングル
  • チャンネルモード:エンハンスメント型
  • カテゴリー:パワーMOSFET
  • 最大パワー消費:3.75 W
  • 動作温度 Min:-55 °C
  • RoHS適合状況:適合
  • コード番号:166-2534

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