195円,64-0186-78 N+Pチャンネル パワーMOSFET 2.6 A、3.8 A 表面実装 パッケージMicroFET薄型 6 ピン FDME1034CZT,kinnon.tv,/faith1872556.html,研究用総合機器 , 電子 電気部品・制御機器 , 電子部品・電源・コネクタ , 半導体 , ディスクリート , カテゴリ一覧 , 研究用総合機器 , 電子 電気部品・制御機器 , アールエスコンポーネンツ 195円,64-0186-78 N+Pチャンネル パワーMOSFET 2.6 A、3.8 A 表面実装 パッケージMicroFET薄型 6 ピン FDME1034CZT,kinnon.tv,/faith1872556.html,研究用総合機器 , 電子 電気部品・制御機器 , 電子部品・電源・コネクタ , 半導体 , ディスクリート , カテゴリ一覧 , 研究用総合機器 , 電子 電気部品・制御機器 , アールエスコンポーネンツ 64-0186-78 N+Pチャンネル パワーMOSFET 2.6 公式の A 3.8 6 ピン パッケージMicroFET薄型 表面実装 FDME1034CZT 64-0186-78 N+Pチャンネル パワーMOSFET 2.6 公式の A 3.8 6 ピン パッケージMicroFET薄型 表面実装 FDME1034CZT 195円 64-0186-78 N+Pチャンネル パワーMOSFET 2.6 A、3.8 A 表面実装 パッケージMicroFET薄型 6 ピン FDME1034CZT 研究用総合機器 電子 電気部品・制御機器 電子部品・電源・コネクタ 半導体 ディスクリート カテゴリ一覧 研究用総合機器 電子 電気部品・制御機器 アールエスコンポーネンツ 195円 64-0186-78 N+Pチャンネル パワーMOSFET 2.6 A、3.8 A 表面実装 パッケージMicroFET薄型 6 ピン FDME1034CZT 研究用総合機器 電子 電気部品・制御機器 電子部品・電源・コネクタ 半導体 ディスクリート カテゴリ一覧 研究用総合機器 電子 電気部品・制御機器 アールエスコンポーネンツ

64-0186-78 N+Pチャンネル パワーMOSFET 2.6 公式の A 3.8 6 人気大割引 ピン パッケージMicroFET薄型 表面実装 FDME1034CZT

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195円

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特徴

  • PowerTrenchRデュアルN/PチャンネルMOSFET、Fairchild Semiconductor
  • PowerTrenchR MOSFETは、システム効率と電力密度を向上するように最適化された電源スイッチです。 これらの製品は、小さいゲート電荷量(Qg)、小さい逆回復電荷量(Qrr)、ソフト逆回復ボディダイオードを組み合わせているので、AC/DC電源における同期整流の高速スイッチングに貢献します。 最新のPowerTrenchR MOSFETは、シールド付きゲート構造を採用しているので、電荷量のバランスが実現します。 高度なテクノロジーを使用しているので、これらのデバイスのFOM (性能指数)は、前世代のデバイスよりもはるかに低くなります。 PowerTrenchR MOSFETのソフトボディダイオードの性能により、スナバー回路が不要になるか、電圧定格の高いMOSFETを置き換えることができます。

仕様

  • 入数:1テープ(5個入)
  • チャンネルタイプ:N, P
  • 最大連続ドレイン電流:2.6 A、3.8 A
  • 最大ドレイン-ソース間電圧:20 V
  • 最大ドレイン-ソース間抵抗:160 mΩ, 530 mΩ
  • 最低ゲートしきい値電圧:0.4V
  • 最大ゲート-ソース間電圧:-8 V, +8 V
  • パッケージタイプ:MicroFET薄型
  • 実装タイプ:表面実装
  • ピン数:6
  • チャンネルモード:エンハンスメント型
  • カテゴリー:パワーMOSFET
  • 最大パワー消費:1.4 W
  • 長さ:1.6mm
  • RoHS適合状況:適合
  • コード番号:759-9147

64-0186-78 N+Pチャンネル パワーMOSFET 2.6 A、3.8 A 表面実装 パッケージMicroFET薄型 6 ピン FDME1034CZT

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