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特徴

  • NチャンネルパワーMOSFET 55 V、Infineon
  • InfineonのディスクリートHEXFETRパワーMOSFET製品には、リード付き表面実装パッケージに収容されたNチャンネルデバイス、及びほぼすべてのボードレイアウトや熱設計課題に対応できるフォームファクタが含まれています。 レンジ全体にわたる抵抗のベンチマークにより、導電損失が低下するので、最適なシステム効率を発揮できます。

仕様

  • 入数:1チューブ(50個入)
  • チャンネルタイプ:N
  • 最大連続ドレイン電流:21 A
  • 最大ドレイン-ソース間電圧:55 V
  • 最大ドレイン-ソース間抵抗:40 mΩ
  • 最大ゲートしきい値電圧:4V
  • 最低ゲートしきい値電圧:2V
  • 最大ゲート-ソース間電圧:-20 V, +20 V
  • パッケージタイプ:TO-220
  • 実装タイプ:スルーホール
  • ピン数:3
  • チャンネルモード:エンハンスメント型
  • カテゴリー:パワーMOSFET
  • 最大パワー消費:37 W
  • 標準ターンオフ遅延時間:31 ns
  • RoHS適合状況:適合
  • コード番号:166-1030

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